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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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